“太快了,俄罗斯公布7纳米光刻机,分析师:结局已定 - 新闻 - 好推网

太快了,俄罗斯公布7纳米光刻机,分析师:结局已定

商业保险购买

光刻机本来是一个非常冷门的设备,其冷门程度应该比通信设备的基站更甚,但是随着芯片的重要性愈发明显,尤其是芯片开始出现先进工艺,而所需要用到的EUV光刻机,目前只有ASML可以制造,这让光刻机和ASML突然开始在全球爆红,成为了关注的焦点。

尤其是当年我们中企在已经订购了EUV光刻机的情况下,却突然遭到禁运,这更让国人对EUV光刻机有了一个新的认识,当芯片的制造工艺进入到7纳米时,那么EUV光刻机虽然不是一个必须的选择,但是确实更好的选择,例如像台积电、三星等芯片代工厂,在第二代7纳米工艺上,就开始采用了EUV光刻机,虽然芯片工艺没有改变,但是芯片的集成度获得了提升,再次提升了芯片的性能。

而就在俄乌事件爆发后,作为全球EUV光刻机的唯一供应商ASML,跟随老美的规则,对俄停止了光刻机的交付,那么自然也就包括用于先进工艺的EUV光刻机,不过后来俄方面很快就表示,将会自研光刻机,并表示在工艺上可以达到ASML的最高端光刻机的水平,言下之意,目标就是直指EUV光刻机。

而现在,仅仅过去半年时间,俄方面就宣布了光刻机方面的新消息,据悉俄方面表示,将会生产出用于7纳米工艺的先进光刻机,具体来说,俄方面计划利用6年时间,也就是在2028年推出该光刻设备,目前俄方面具备的芯片制造工艺技术为65纳米,反观ASML方面,其从65纳米发展到7纳米,用了14年的时间,那么为什么俄方面仅用6年就可以做到呢?俄方面真的可以做到吗?

可以说,这个可能性是有的,因为俄方面所研发的光刻机,与ASML所研发的光刻机,根本就不是一个产物,或者说根本就不是一个类型。虽然都是光刻机,都可以用于生产制造芯片,但是它们的原理有着本质上的不同。确切地说,ASML所研发的光刻机叫做投影式步进光刻机,而俄方面所研发的光刻机,叫做X射线光刻机。

相信大家都有所了解,EUV光刻机的最大难点在于产生13.5纳米波长的光源,这也是EUV光刻机与DUV光刻机本质差别,因为采用了波长更短的光,所以才能制造工艺更先进的芯片,而俄方面采用的X射线,波长比EUV还要短,大约只有EUV波长的1%左右。

但是X射线不能用于投影式步进光刻机,具体原理就不做过多介绍,X射线只能用于直写式光刻机,而投影式步进光刻机相比直写式光刻机的最大优势,就是生产效率要高出几十倍,所以芯片量产时所用到的光刻机,都是投影式步进光刻机。

但对于俄来说,研发可以生产先进工艺的光刻机,主要是为了满足自身的需求,而不是为了到商业市场去竞争,所以这类光刻机的研发难度要降低很多,就在前段时间,老美方面不是表示可以制造0.7纳米的芯片,其实所用到的设备也是直写式光刻机,只不过采用的光是电子束,电子束的波长比X射线还要短,而波长更短的还有离子束。

因此分析师指出,其实这已经表示结局已定了,ASML的神化形象被打破,虽然其在光刻机市场叱咤风云,但是仅仅只是在商用领域,非商用领域,ASML并没有竞争力,甚至没有存在感,而且在非商用领域的光刻机技术,其实有很多种可以利用,除了直写式,中科院还自研了超分辨技术的光刻机,该光刻机依然是投影式,但不依赖更短的光源,早在五年前就被用于芯片的制造,可以做到10纳米。

这也是为何ASML一直急于出货的原因,因为它知道自己的优势只是在商业上,因此对于EUV光刻机,大家也没有必要过于的担心,如果您觉得说得在理,感谢转发、点赞和在看。