|
商业保险购买 光刻机本来是一个非常冷门的设备，其冷门程度应该比通信设备的基站更甚，但是随着芯片的重要性愈发明显，尤其是芯片开始出现先进工艺，而所需要用到的EUV光刻机，目前只有ASML可以制造，这让光刻机和ASML突然开始在全球爆红，成为了关注的焦点。 尤其是当年我们中企在已经订购了EUV光刻机的情况下，却突然遭到禁运，这更让国人对EUV光刻机有了一个新的认识，当芯片的制造工艺进入到7纳米时，那么EUV光刻机虽然不是一个必须的选择，但是确实更好的选择，例如像台积电、三星等芯片代工厂，在第二代7纳米工艺上，就开始采用了EUV光刻机，虽然芯片工艺没有改变，但是芯片的集成度获得了提升，再次提升了芯片的性能。 而就在俄乌事件爆发后，作为全球EUV光刻机的唯一供应商ASML，跟随老美的规则，对俄停止了光刻机的交付，那么自然也就包括用于先进工艺的EUV光刻机，不过后来俄方面很快就表示，将会自研光刻机，并表示在工艺上可以达到ASML的最高端光刻机的水平，言下之意，目标就是直指EUV光刻机。 而现在，仅仅过去半年时间，俄方面就宣布了光刻机方面的新消息，据悉俄方面表示，将会生产出用于7纳米工艺的先进光刻机，具体来说，俄方面计划利用6年时间，也就是在2028年推出该光刻设备，目前俄方面具备的芯片制造工艺技术为65纳米，反观ASML方面，其从65纳米发展到7纳米，用了14年的时间，那么为什么俄方面仅用6年就可以做到呢？俄方面真的可以做到吗？ 可以说，这个可能性是有的，因为俄方面所研发的光刻机，与ASML所研发的光刻机，根本就不是一个产物，或者说根本就不是一个类型。虽然都是光刻机，都可以用于生产制造芯片，但是它们的原理有着本质上的不同。确切地说，ASML所研发的光刻机叫做投影式步进光刻机，而俄方面所研发的光刻机，叫做X射线光刻机。 相信大家都有所了解，EUV光刻机的最大难点在于产生13.5纳米波长的光源，这也是EUV光刻机与DUV光刻机本质差别，因为采用了波长更短的光，所以才能制造工艺更先进的芯片，而俄方面采用的X射线，波长比EUV还要短，大约只有EUV波长的1%左右。 但是X射线不能用于投影式步进光刻机，具体原理就不做过多介绍，X射线只能用于直写式光刻机，而投影式步进光刻机相比直写式光刻机的最大优势，就是生产效率要高出几十倍，所以芯片量产时所用到的光刻机，都是投影式步进光刻机。 但对于俄来说，研发可以生产先进工艺的光刻机，主要是为了满足自身的需求，而不是为了到商业市场去竞争，所以这类光刻机的研发难度要降低很多，就在前段时间，老美方面不是表示可以制造0.7纳米的芯片，其实所用到的设备也是直写式光刻机，只不过采用的光是电子束，电子束的波长比X射线还要短，而波长更短的还有离子束。 因此分析师指出，其实这已经表示结局已定了，ASML的神化形象被打破，虽然其在光刻机市场叱咤风云，但是仅仅只是在商用领域，非商用领域，ASML并没有竞争力，甚至没有存在感，而且在非商用领域的光刻机技术，其实有很多种可以利用，除了直写式，中科院还自研了超分辨技术的光刻机，该光刻机依然是投影式，但不依赖更短的光源，早在五年前就被用于芯片的制造，可以做到10纳米。 这也是为何ASML一直急于出货的原因，因为它知道自己的优势只是在商业上，因此对于EUV光刻机，大家也没有必要过于的担心，如果您觉得说得在理，感谢转发、点赞和在看。 |